据国外媒体报道，商用LED灯先驱Cree正在通过销售据称可以提高电池性能的半导体器件，将自己重新塑造为电动汽车领域的关键参与者。

该公司首席执行官格林·罗威（Gregg Lowe）在接受采访时说，预计到2025年左右，全球对碳化硅材料和电脑芯片的需求将飙升至90亿美元，其中约一半将来自汽车行业。

“公司将在未来6到18月内获得很大一部分业务。”罗威表示。几家汽车制造商正在评估诸如电力转换器、逆变器和充电站等Cree技术在电动汽车部件中的应用。“就推动行业发展的角度而言，汽车现在确实是我们关注的焦点。”

近日，科锐（Cree）与德尔福科技（Delphi Technologies PLC，DLPH）宣布开展汽车碳化硅（SiC）器件合作。科锐是碳化硅（SiC）半导体全球领先企业，德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商，双方的此次合作将通过采用碳化硅（SiC）半导体器件技术，为未来电动汽车（EV）提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统。

科锐碳化硅（SiC）基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术与德尔福科技的牵引驱动逆变器、DC／DC转换器和充电器技术的结合，将助力电动汽车（EV）提高行驶里程和实现更快充电时间，同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）最初将用于德尔福科技为某一全球顶级汽车制造商设计的800V电控逆变器。计划量产时间为2022年。

德尔福科技首席执行官Richard F． （Rick） Dauch表示：“德尔福科技致力于为汽车制造商提供开拓性的解决方案。汽车制造商们正在努力满足日趋严格的全球排放法规要求和消费者对于电动汽车（EV）的期待。我们与科锐的合作，将为汽车制造商们创造显著的效益。消除驾驶员对于电动汽车（EV）行驶里程、充电时间和成本等方面的忧虑，为整个行业带来好处。”

由于汽车产业正在寻求加速从内燃机向电动汽车（EV）的转变，从而碳化硅（SiC）基功率解决方案的采用正在整个汽车市场实现快速地增长。IHS预计，到2030年高电压电动轻型汽车的销量将达到3000万台（占全球全部汽车销售的27％）。电控逆变器是最具价值的电气化部件之一，电控逆变器效率对于汽车性能众多方面都可以带来产业变革性的影响。

科锐首席执行官Gregg Lowe表示：“科锐技术在这场向电动汽车（EV）的重大转变中处于核心位置。我们致力于支持汽车产业从硅（Si）基设计向更高效率、更高性能碳化硅（SiC）基解决方案的转型。这次与德尔福科技的合作，将帮助推进碳化硅（SiC）在汽车领域的采用。科锐作为碳化硅（SiC）全球领先企业，正在持续扩大产能以满足市场需求，通过我们业界领先的功率型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），助力实现一个崭新的、更高效率的未来。”

得益于在材料和技术上的深厚积累，Cree能够制造出可在很小的空间里用更大的功率，同时还具备正向电压低、超薄厚度、发热性低、针对静电放电（ESD）的高容限／耐受、使用寿命长久等典型特征的LED灯珠，公司也在这个领域一骑绝尘。

今年三月，他们宣布，将向美国理想工业公司（IDEAL INDUSTRIES）出售其照明产品业务部门（＂Cree Lighting＂），包括用于商业、工业和消费者应用的LED照明灯具、灯泡以及企业照明解决方案业务。公司在未来将定位为一个更专注的半导体领导者。

曾几何时，在led芯片领域，我们一定绕不过美国Cree，欧洲飞利浦、欧司朗，日本日亚化学与丰田合成等公司。因为这些IDM企业凭借其业务模式的优势，在LED领域建立了领先的优势，公司推出的产品也备受好评。

但和其他芯片的发展一样，在经历了欧美垄断、韩国台湾推动大规模商用，然后在经历国内政策扶持，海内外人才迅速加入以后，以三安广电和华灿光电为代表的一大波国内led芯片厂商迅速崛起，也逐渐把led芯片变成了一个几由中国厂商把持的红海市场。

统计显示，2013年以来，中国LED芯片行业产值规模占全球规模的比例不断提升，市场份额也由2013年的27．0％上升至2017年的37．1％。在2017年，中国LED芯片产能占全球的比例达到58％。而排在其后的中国台湾2017年LED芯片产能占比15％；其后是日本、韩国、美国，这三个国家的LED芯片产能占比分别为12％、9％、3％。在国内，本土厂商的份额更是水涨船高。

截至2017年底，国内前四大芯片厂商占据了超过70％的市场份额。居前四位的分别是三安光电（产能为280万片／每月）、华灿光电（产能170万片／每月）、澳洋顺昌（产能100万片／每月）和乾照光电（产能55万片每月），占比分别为32．6％、19．8％、11．6％和6．4％。总体来看，我国LED芯片行业集中度较高。

随着技术的进步，国内的led芯片质量也大幅提升，出货量也日渐增长，led芯片的各个环节价格也开始大跌。资料显示，白光 LED 封装的成本将从 2009 年的 25 美元／klm 降至 2020年的 0．7 美元／klm，其成本的终极目标更是渠道为 0．5 美元／klm，平均每年的成本下降在 30％以上。再加上国内厂商竞争，对Cree来说，led芯片市场不再有吸引人。

Cree放弃照明业务，另一个原因就在于看到GaN和SiC器件需求的飙升。

对led芯片产业有所了解的朋友应该知道，GaN和SiC这些化合物半导体曾经被推广到led芯片当作衬底，而Cree作为当中的领头羊，在这些领域都有很深入的研究和积累。虽然led市场吸引力不再，但这些技术在功率电子和射频领域看到了很大的成长空间。

根据知名分析机构Yole的数据显示，2016年，全球氮化镓（GaN）半导体器件市场规模为165亿美元，预计到2023年将达到224．7亿美元，2017年至2023年期间的复合年增长率为4．6％。Yole指出，驱动该市场增长的主要因素包括氮化镓在消费电子和汽车领域具有广阔的市场潜力；氮化镓材料的宽带隙特性促进了创新应用；氮化镓在RF功率电子领域的成功应用；以及军事、国防、航空航天应用领域增加对氮化镓RF半导体器件的采用。

据资料显示，成立之初的Cree就确定了朝SiC材料发展的道路，公司也在1989年发布了世界上第一款蓝色led，而这颗芯片就是在SiC上生产的。自led之后，他们就将SiC技术拓展到其他领域，并把其发展成为公司业务的另一大支持，这就是上文提到的Wolfspped。太平洋证券指出，Cree在1991年就推出了全球首款商用SiC晶圆，1998年创建业界首款采用SiC的GaN HEMT，进入21世纪后，公司在SiC射频器件与电力电子器件领域继续拓展，于2002年推出首款600V商用SiC JBS肖特基二极管，2011年推出业界首款SiC MOSFET。公司最近还和st签订了长期的SiC晶圆供应协议，夯实了公司未来的发展基础。

Cree在SiC功率器件的发展历史

来到GaN方面，Cree在2004年收购了AdvancedTechnology Materials（ATMI），获得了GaN和外延业务，公司也直接取得GaN衬底和外延的产能；2018年3月，Cree反过来收购了英飞凌的射频功率业务，按照Cree 首席执行官 Gregg Lowe 的说法，这次收购稳固了 Wolfspeed 在射频碳化硅基氮化镓（GaN－on－SiC）技术方面的领导地位，同时使科锐进入更多市场，扩大客户并获得在封装领域的专业技术。这是科锐发展战略的重要举措，使Wolfspeed 能够助力4G网络提速，以及向革命性的5G转型。

经过多年的发展，现在的Cree具备了SiC 功率器件及 GaN RF 射频器件生产能力，其中SiC功率器件市场，Wolfspeed拥有全球最大的份额，公司也引领了SiC晶圆尺寸的变化浪潮；而在GaN射频市场，Wolfspeed也仅仅是屈居第二。公司的GaN HEMT出货量也超过了1500万只，公司也拓展出了GaN－on－SiC 代工服务。

对Cree来说，这一切都是水到渠成的。于国内的厂商来说，Cree这些聚焦高毛利新产品，因势利导的做法也值得我们本土企业学习。